SiC JFET

SiC JFET

UJ3Nシリーズは、650Vから1700Vまでをそろえ、25mΩという超低オン抵抗(RDS(on))を実現した高性能SiCノーマルオン型JFETです。ゲートチャージ(QG)も低く、低導通損失、低スイッチング損失を実現しています。回路保護にも最適です。

特徴
  • 650/900/1200/1700 V デバイス オプション
  • 低オン抵抗 : RDS(on) 25mΩ
  • 電流制限:自己発熱による電流の急激な減少、I2tの制限
  • ノーマルオン型のJFETです。VG(th)は温度変化なし
  • RoHS対応
SiC JFET選択ガイド
品番 パッケージ V RDS(on)typ
(mΩ)
ID最大(A) データシート デザインファイル 今すぐ購入 世代
ウェハ 650 265 10 今すぐ購入 3
ウェハ 650 580 5.6 今すぐ購入 3
ウェハ 900 330 8.4 今すぐ購入 3
ウェハ 900 735 4.2 今すぐ購入 3
ウェハ 1200 140 20.8 今すぐ購入 3
ウェハ 1700 400 8 今すぐ購入 3
D2PAK-7L 1700 400 6.8 今すぐ購入 3
TO-247-3L 650 25 85 今すぐ購入 3
TO-247-3L 650 80 32 今すぐ購入 3
TO-247-3L 1200 35 63 今すぐ購入 3
TO-247-3L 1200 66 34 今すぐ購入 3
TO-247-3L 1200 70 33.5 今すぐ購入 3
ウェハ 1700 1100 3.4 今すぐ購入 3
品番 パッケージ V RDS(on)typ
(mΩ)
ID最大(A) データシート デザインファイル 今すぐ購入 世代
TO-247-3L 1200 45 38 メールでのお問い合わせ 1
TO-247-3L 1200 80 21 メールでのお問い合わせ 1

1. ダイに関するお問い合わせは、sales@unitedsic.com

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