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ユナイテッド・シリコン・カーバイドが権威あるR&D100アワードを受賞

6.5kVエンハンスメントモードSiCデバイスが「R&D100賞」を受賞

United Silicon Carbide Inc.(UnitedSiC)は、サンディア国立研究所および米国エネルギー省電力供給・エネルギー信頼性局(Office of Electricity Delivery and Energy Reliability, Energy Storage Program)と共同で、既存の6.5kV定格Si-IGBTと比較してスイッチング損失が1/20となることを実証する6.5kV定格エンハンスメントモードSiC JFETスイッチを開発しました。この製品は、R&D誌のIT/電気部門で、化学から材料、生物医学のブレークスルーに至るまで、産・学・官が後援する研究からその年のトップ100の技術製品を表彰する「2015年R&D 100賞」の1つとして評価されました。

UnitedSiCは、過去4年間にわたり、空軍研究所およびJim Scofield博士の支援を受けて、新しいピュアプレイ・ファウンドリー・モデル・アプローチを用いて、1200Vの空乏モードおよびエンハンスメント・モードのSiC接合電界効果トランジスタ(JFET)デバイスを製品化してきました。UnitedSiCは、DOEエネルギー貯蔵プログラムのImre Gyuk博士およびSandia National LaboratoriesのStan Atcitty博士と提携した際に、製品プラットフォームをより高電圧に拡張し、6.5kVデバイスを実証しました。UnitedSiCは、先進的な材料と斬新な製造アイデアを組み合わせて、大幅に効率的な電力変換のための新製品を構築しました。シリコンカーバイドのユニークな特徴を利用したこの種のデバイスは、より高い電圧でのスイッチングとスイッチング損失の低減を可能にし、発電と電力変換の効率と信頼性を大幅に向上させます。6.5kVエンハンスメントモードシリコンカーバイドJFETスイッチは、世界的なエネルギー使用量の増加に伴い、老朽化した電力網にかつてないほどの要求が課せられていることに対応しており、再生可能エネルギーやエネルギー貯蔵システムとの統合による効率化だけでなく、信頼性の向上に向けた変革が求められています。次世代の電力変換技術を実現するためには、SiCデバイスの高耐圧化やシステム全体の低電流化だけでなく、スイッチング損失の大幅な低減が鍵となります。SiCデバイスは、Si-IGBTと比較してスイッチング損失を20分の1に低減し、6.5kV定格のパワーモジュールの中では最速のターンオン/ターンオフを実現しています。