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UnitedSiC、業界最高水準の 6mΩ SiC FETを発表

9つの新デバイスを追加し、デザインの柔軟性を向上

2021年9月14日、ニュージャージー州プリンストン。シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の大手メーカーであるUnitedSiCは、より高性能で高効率なSiC FETを求めるパワー設計者の要望に応えて、業界最高の750V、6mΩデバイスを発表しました。この新しい6mΩデバイスは、RDS(on)値が競合するSiC MOSFETの半分以下でありながら、5μsという強固な短絡耐量を実現しています。本日の発表では、750VのSiC FETシリーズに、6、9、11、23、33、44mΩの9種類のデバイス/パッケージオプションが追加されました。 すべてのデバイスはTO-247-4Lパッケージで提供され、18、23、33、44、60mΩのデバイスはTO-247-3Lでも提供されます。すでに発売されている18mΩと60mΩのデバイスに加えて、この750V拡張シリーズは、デバイスの選択肢を増やし、設計の柔軟性を高め、余裕のある設計マージンと回路の堅牢性を維持しながら、最適なコスト/効率のトレードオフを実現します。

UnitedSiCの第4世代SiC FETは、SiC JFETと同梱されたシリコンMOSFETの「カスコード」です。これらを組み合わせることで、ワイドバンドギャップ技術の利点である、高速かつ低損失で高温動作を実現するとともに、ESD保護機能を内蔵した容易で安定した堅牢なゲート駆動を維持することができます。これらの利点は、RDS(on) ×A(単位ダイ面積当たりの導通損失)などのFoM(性能指数)によって定量化されています。第4世代のSiC FETは、高温と低温の両方のダイ温度において、市場で最も低い値を達成しています。FoM : RDS(on) xEOSS/QOSSは、ハードスイッチングアプリケーションにおいて重要であり、最も近い競合製品の値の半分です。FoM : RDS(on) xCOSS(tr) は、ソフトスイッチング用途では重要であり、UnitedSiCのデバイスの値は、競合他社の部品よりも約30%低く、他社の定格電圧が650Vであるのに対し、UnitedSiCの定格電圧は750Vです。ハードスイッチングアプリケーションでは、SiC FETの一体型ボディダイオードが、競合するSi MOSFETやSiC MOSFET技術よりも回復速度や順方向電圧降下において優れています。また、第4世代技術には、高度なウェハ薄片化技術と銀シンターダイアタッチにより、ダイからケースまでの熱抵抗が低減されています。これらの特徴により、要求の厳しいアプリケーションにおいて、低いダイの温度上昇で最大の出力を得ることができます。

新しいUnitedSiCのSiC FETは、スイッチング効率とオン抵抗の最新の改善により、挑戦的で新しいアプリケーションに最適です。電気自動車のトラクション・ドライブやオンボード/オフボード・チャージャー、再生可能エネルギーのインバーターにおける一方向/双方向の電力変換の全段階、力率補正、通信用コンバーター、AC/DCまたはDC/DC電力変換などに最適です。また、Si MOSFETやIGBTゲートドライブとの下位互換性やTO-247パッケージを採用しているため、既存のアプリケーションでも効率アップが容易に実現できます。

UnitedSiCの社長兼CEOであるChris Dries氏は次のように述べています。「UnitedSiCの第4世代SiC FETは、競合する技術の中で紛れもなく性能面でのリーダーであり、ワイドバンドギャップスイッチ技術の新たなベンチマークとなっています。新しい製品群の追加により、すべての性能と予算の仕様、そしてより幅広いアプリケーションに対応する、さらなるオプションが提供されます。" と述べています。

750V Gen4 SiC FETの新製品の価格(1000個入り、FOB USA)は、UJ4C075044K3Sが4.15ドル、UJ4SC075006K4Sが23.46ドルとなっています。すべてのデバイスは、正規代理店から購入できます。

 


 

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UnitedSiCについて

UnitedSiCは、電気自動車(EV)充電器、DC/DCコンバータ、トラクションドライブ、通信/サーバー電源の可変速モータドライブ、太陽光発電インバータなどに業界最高のSiC効率と性能を提供する革新的なシリコンカーバイドFETおよびダイオード等のパワー半導体を開発しています。

 

詳細はwww.unitedsic.comをご覧ください。