UF3C065040B3
650V-42mΩ SiC FET
UF3C065040B3
UnitedSiC UF3C065040B3 650V 42mΩ SiC FET製品は、高性能G3 SiC JFETとMOSFETを同一のパッケージに封入し、今日の市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスを製造しています。このシリーズは、超低ゲートチャージでありながら、同格のデバイスの中で最も優れた逆回復特性を示します。これらのデバイスはD2PAK-3Lパッケージで提供され、推奨RCスナバと併用することで誘導性負荷のスイッチングに最適で、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに使用できます。
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特徴
- 典型的なオン抵抗RDS(on),typ 42mΩ
- 最高使用温度 175°C
- 優れた逆回復
- 低ゲートチャージ
- 低い固有容量
- ESD保護、HBMクラス2
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