UnitedSiC UF3C065080B7S 650V-85mΩ SiC FET

UF3C065080B7S

UF3C065080B7S 650V 85mΩ RDS(on) SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを作るという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」が可能になります。D2PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに適しています。

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特徴

オン抵抗RDS(on)：85mΩ(typ)
動作温度。175℃(max)
優れた逆回復性。Qrr = 69nC
低ボディダイオードVFSD：1.54V
低ゲートチャージ。QG = 23nC
ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0～15V駆動可能

お客様のパワートポロジーに最適なSiCデバイスを迅速に評価・特定することが可能

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