UF3C065080B7S

650V-85mΩ SiC FET

UF3C065080B7S

UF3C065080B7S 650V 85mΩ RDS(on) SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを作るという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」が可能になります。D2PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに適しています。

特徴
  • オン抵抗RDS(on):85mΩ(typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 優れた逆回復性。Qrr = 69nC
  • 低ボディダイオードVFSD:1.54V
  • 低ゲートチャージ。QG = 23nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能