UF3C120040K3S
1200V-35mΩ SiC FET
UF3C120040K3S
ユナイテッド・シリコン・カーバイド社のUF3C120040K3S 1200V 35mΩ RDS(on) カスコードSiC FET製品は、高性能の第3世代 SiC JFETとFETに最適化されたMOSFETを同梱し、現在の市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスを実現しています。このシリーズは、超低ゲートチャージでありながら、類似の定格のデバイスの中では最高の逆回復特性を示します。これらのデバイスは、TO-247-3Lパッケージで提供され、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
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特徴
- 典型的なオン抵抗RDS(on),typ 35mΩ
- 最高使用温度 175°C
- 優れた逆回復
- 低ゲートチャージ
- 低い固有容量
- ESD保護、HBMクラス2
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