UF3C120080K4S

1200V-80mΩ SiC FET

UF3C120080K4S

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社の「UF3C120080K4S 1200V 80mΩ FET」製品は、高性能な第3世代のSiC高速JFETと、最適化されたMOSFETを同梱し、現在の市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスを実現しています。このシリーズは、4端子のTO-247パッケージを使用して非常に高速なスイッチングを実現し、同様の定格のデバイスの中で最も優れた逆回復特性を示します。このデバイスは、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

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特徴
  • 標準的なオン抵抗RDS(on),typ of 80mΩ
  • 最高使用温度　175°C
  • 優れた逆回復
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量
  • ESD保護、HBMクラス2
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