UF3C120150B7S

1200V-150mΩ SiC FET

UF3C120150B7S

UF3C120150B7S 1200V 150mΩ SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱し、ノーマルオフのSiC FETデバイスを生成するという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」が可能になります。D2PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • オン抵抗RDS(on):150mΩ(typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 優れた逆回復性。Qrr = 67nC
  • 低ボディダイオードVFSD:1.46V
  • 低ゲートチャージ。QG = 25.7nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.4V (typ) 0~15V駆動可能