UF3SC065030B7S

650V-27mΩ SiC FET

UF3SC065030B7S

UF3SC065030B7S 650V 27mΩ RDS(on) SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱し、ノーマルオフのSiC FETデバイスを生成するという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」が可能になります。D2PAK-7Lパッケージの本製品は、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • オン抵抗RDS(on):27mΩ(typ)
  • 動作温度。175℃ (max)
  • 優れた逆回復性。Qrr = 425nC
  • 低ボディダイオード VFSD:1.3V
  • 低ゲートチャージ。QG = 43nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 5V(typ) 0~15V駆動可能