UF3SC065030D8S

650V-34mΩ SiC FET

デバイスが製造中止になりました。交換可能なオプションです。uf3sc065030b7sです。
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UF3SC065030D8S

UF3SC065030D8S 650V 34mΩ RDS(on) SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを作るという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」を可能にします。DFN8X8-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。