UF3SC065040B7S

650V-42mΩ SiC FET

UF3SC065040B7S

UF3SC065040B7S 650V 42mΩ RDS(on) SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを作るという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン・リプレース」が可能になります。D2PAK-7Lパッケージの本製品は、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

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特徴
  • オン抵抗 RDS(on): 42mΩ (typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 優れた逆回復性。Qrr = 185nC
  • 低ボディダイオードVFSD：1.5V
  • 低ゲートチャージ。QG = 43nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 5V(typ) 0～15V駆動可能
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