UF3SC120009K4S

1200V-8.6mΩ SiC FET

UF3SC120009K4S

UF3SC120009K4S 1200V-8.6mΩ SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを作るという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスを真の意味で「ドロップイン」で置き換えることができます。TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • 標準的なオン抵抗RDS(on),typは8.6mΩ。
  • 最高使用温度 175°C
  • 優れた逆回復性
  • 低いゲートチャージ
  • 低い固有静電容量
  • ESD保護、HBMクラス2