1200V-16mΩ SiC FET
UF3SC120016K4S 1200V-16mΩ SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同一パッケージした独自の「カスコード」回路構成に基づいており、ノーマルオフのSiC FETデバイスを生成することができます。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスとの真の「ドロップイン置き換え」を可能にするものです。TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、推奨RCスナバと併用した誘導負荷のスイッチングや標準ゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的な製品となっています。
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