UF4C120053K3S

1200V-53mΩ SiC FET

UF4C120053K3S

UF4C120053K3S は、1200V、53mΩ RDS(on) の第4世代 SiC FET です。このデバイスは、ノーマルオンの SiC JFET を Si MOSFET と共封止し、ノーマルオフの SiC FET デバイスを生成する独自の「カスコード」回路構成をベースにしています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、または Si スーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン置き換え」を可能にします。TO-247-3L パッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的な製品です。

AEC-Q101 認証取得中。詳しくは営業部(sales@unitedsic.com)までお問い合わせください。

特徴
  • オン抵抗 RDS(on): 53mΩ (typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 逆回復性に優れています。Qrr = 117nC
  • 低ボディダイオード VFSD: 1.28V
  • 低ゲートチャージ。QG = 37.8nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能