1200V-72mΩ SiC FET
UF4C120070K3Sは、1200V、72mΩ RDS(on) の第4世代 SiC FETです。このデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETをSi MOSFETと共封止し、ノーマルオフのSiC FETデバイスを生成する独自の「カスコード」回路構成をベースにしています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、または Si スーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン置き換え」を可能にします。TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的な製品です。
AEC-Q101 認証取得中。詳しくは営業部(sales@unitedsic.com)までお問い合わせください。
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