UF4C120070K3S

1200V-72mΩ SiC FET

UF4C120070K3S

UF4C120070K3Sは、1200V、72mΩ RDS(on) の第4世代 SiC FETです。このデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETをSi MOSFETと共封止し、ノーマルオフのSiC FETデバイスを生成する独自の「カスコード」回路構成をベースにしています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、または Si スーパージャンクションデバイスの真の「ドロップイン置き換え」を可能にします。TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的な製品です。

AEC-Q101 認証取得中。詳しくは営業部(sales@unitedsic.com)までお問い合わせください。

特徴
  • オン抵抗 RDS(on): 72mΩ (typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 優れた逆回復特性。Qrr = 72nC
  • 低ボディダイオード VFSD:1.43V
  • 低ゲートチャージ。QG = 37.8nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能