UF4SC120030K4S

1200V-30mΩ SiC FET

UF4SC120030K4S

UF4SC120030K4S は、1200V、30mΩ RDS(on) の第4世代SiC FETです。このデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとノーマルオフのSi MOSFETを組み合わせた独自の「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にします。TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的な製品となっています。

AEC-Q101 認証取得中。詳しくは営業部(sales@unitedsic.com)までお問い合わせください。

特徴
  • オン抵抗 RDS(on): 30mΩ (typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 逆回復性に優れています。Qrr = 277nC
  • 低ボディダイオード VFSD: 1.22V
  • 低ゲートチャージ。QG = 37.8nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能