UJ3C065080K3S

650V-80mΩ SiC FET

UJ3C065080K3S

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社のUJ3C065080K3S 650V 80mΩ RDS(on) SiC FET製品は、高性能のG3 SiC JFETと最適化されたMOSFETを組み合わせたもので、現在の市場で唯一の標準的なゲート駆動SiCデバイスとなっています。このシリーズは、超低ゲートチャージでありながら、同一定格のデバイスの中で最高の逆回復特性を実現しています。TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • 標準的なオン抵抗 RDS(on), typ of 80mΩ
  • 最高使用温度 175°C
  • 優れた逆回復
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量
  • ESD保護、HBMクラス2