UJ4C075018K4S

750V-18mΩ SiC FET

UJ4C075018K4S

UJ4C075018K4Sは、750V、18mΩの第4世代SiC FETです。ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱した独自の「カスコード」回路構成を採用し、ノーマルオフのSiC FETデバイスを実現しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスを真の意味で「ドロップイン」で置き換えることができます。TO-247-4Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • オン抵抗RDS(on):18mΩ(typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 優れた逆回復性。Qrr = 102nC
  • 低ボディダイオードVFSD:1.14V
  • 低ゲートチャージ。QG = 37.8nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能