UJ4C075060B7S

750V-58mΩ SiC FET

UJ4C075060B7S

UJ4C075060B7Sは、750V、58mΩ の G4 SiC FETです。このデバイスは、ノーマルオンの SiC JFET とノーマルオフの SiC MOSFET を組み合わせた独自の「カスコード」回路構成に基づいています。このデバイスの標準的なゲートドライブ特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクションデバイスの「ドロップイン置き換え」を可能にします。D2PAK-7L パッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに理想的なデバイスです。

AEC-Q101 認証取得中。詳しくは営業部(sales@unitedsic.com)までお問い合わせください。

特徴
  • オン抵抗RDS(on):58mΩ(typ)
  • 動作温度。175℃(max)
  • 逆回復性に優れています。Qrr = 70nC
  • 低ボディダイオードVFSD:1.31V
  • 低ゲートチャージ。QG = 37.8nC
  • ゲートスレッショルド電圧 VG(th): 4.8V (typ) 0~15V駆動可能