テクニカル/ホワイトペーパー

  • デュアルゲート構成のSiC FETによる回路保護

    SiC JFETは、必要なときに電流を制限する能力を損なうことなく、高電圧定格で低オン抵抗を実現できることから、ソリッドステートブレーカー/パワーコントローラのアプリケーションにとって理想的なデバイスと考えられてきました。このホワイトペーパーでは、大電流のDCおよびACサーキットブレーカーの開発を簡素化するために、デュアルゲート構成のノーマルオフSiC FETを使用することを検討します。

  • 新しい半導体技術で電力変換の高効率化を実現

    電力変換は,ほとんどすべての電子機器に共通する要素であり,さまざまなトポロジーで実装されています。このホワイトペーパーでは、新しい半導体技術の開発の背景を説明し、現在および将来の電力変換アプリケーションに適切な機能を提供するために配置された革新的な部品の例を紹介します。

  • SiC FETの起源と完璧なスイッチへの進化

    高周波スイッチとしてのワイドバンドギャップ半導体は、電力変換の効率を向上させる要因です。その一例であるシリコンカーバイドのスイッチは、SiCのMOSFETとして、またはカスコード構成のSiC FETとして実装することができます。このホワイトペーパーでは、SiC FETの起源と最新世代への進化をたどり、その性能を他の技術と比較しています。

  • パワーアプリケーションでSiCとGaNを比較する際の実用的な検討事項

    シリコンカーバイド(SiC)とガリウムナイトライド(GaN)の半導体技術は、将来に向けて優れた性能を発揮することが期待されています。SiCデバイスをカスコード構成にすることで、既存のシステムを簡単にアップグレードして、今すぐにワイドバンドギャップデバイスのメリットを得ることができます。

  • EV用途のSIC FET

    ワイドバンドギャップ半導体は、電気自動車を含むあらゆる種類の電力変換に応用されています。このホワイトペーパーでは、最新世代のSiC FETが、IGBTよりも低損失で、高温や繰り返しのストレス下でも短絡に対するロバスト性が実証されているため、新しいインバータ設計に最適であることを説明しています。

  • SiC製品と技術の現状

    パワーエレクトロニクスで使用されるシリコンカーバイド(SiC)デバイスの利点は、高いブレークダウンフィールドと熱伝導性という基本的な材料の利点に牽引されています。材料とデバイスの25年以上にわたる継続的な開発により、SiCデバイスはいろいろな分野での採用が始まりつつあります。