UF3C065030K4S

650V-27mΩ SiC FET

UF3C065030K4S

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社の「UF3C065030K4S 650V-27mΩ」SiC FET製品は、高性能の第3世代 SiC高速JFETと最適化されたMOSFETを組み合わせたもので、現在の市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスです。このシリーズは、4端子のTO-247パッケージを使用して非常に高速なスイッチングを実現し、同様の定格のデバイスの中で最も優れた逆回復特性を示します。このデバイスは、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

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特徴
  • 典型的なオン抵抗RDS(on),typ 27mΩ
  • 最高使用温度　175°C
  • 優れた逆回復
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量
  • ESD保護、HBMクラス2
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