UF3C120080K3S

1200V-80mΩ SiC FET

UF3C120080K3S

UF3C120080K3S 1200V-80mΩ SiC FETデバイスは、ノーマルオンのSiC JFETとSi MOSFETを同梱してノーマルオフのSiC FETデバイスを生成するという、ユニークな「カスコード」回路構成を採用しています。このデバイスの標準的なゲート駆動特性により、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、Siスーパージャンクションデバイスを真の意味で「ドロップイン」で置き換えることができます。TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を備えており、推奨されるRCスナバと一緒に使用した場合の誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲートドライブを必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

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特徴
  • 典型的なオン抵抗 RDS(on),typ of 80mΩ。
  • 最高使用温度　175°C
  • 優れた逆回復
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量
  • ESD保護、HBMクラス2
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