UJC1206K

1200V-60mΩ SiC FET

デバイスが製造中止になりました。交換可能なオプションです。UJ3X120080Xです。
テクニカルサポートについては、sales@unitedsic.com

UJC1206K

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社の「UJC1206K」は、1200V 60mΩ RDS(on) SiC FET製品で、同社のxJシリーズの高性能SiC JFETと最適化されたMOSFETを共同パッケージし、現在の市場で唯一の標準ゲート駆動SiCデバイスを実現しています。このシリーズは、超低ゲートチャージでありながら、類似の定格のデバイスの中では最高の逆回復特性を示します。TO-247-3Lパッケージで提供されるこのデバイスは、誘導負荷のスイッチングや、標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。

特徴
  • 最大オン抵抗RDS(on)maxは60mΩ。
  • PVインバーター用標準12Vゲートドライブ
  • 最高使用温度 150°C
  • 優れた逆回復
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量