UF3N065600

650V-580mΩ SiCノーマルオンJFET

 

 

UF3N065600

ユナイテッド・シリコン・カーバイド社の「UF3N065600」は、650V 580mΩの高性能第3世代SiCノーマルオンJFETトランジスタです。超低オン抵抗 (RDS(ON)) とゲート電荷 (QG) を実現し、低導通損失と低スイッチング損失を実現しています。また、VGS=0Vでの低RDS(ON)のノーマルオン特性は、FETの動作だけでなく、アクティブ制御を必要としない電流保護回路にも最適です。

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特徴
  • 標準オン抵抗RDS(on),typ of 580mΩ
  • 電圧制御
  • 最高使用温度　175°C
  • 温度に左右されない超高速スイッチング
  • 低ゲートチャージ
  • 低い固有容量
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